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19/09/2025 10:44

《外資精點》富瑞:內地AI晶片難敵輝達H20,國產關鍵設備可得性和產能受限

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本內容由人工智能根據現有市場數據及新聞來源生成,僅供參考。其內容不代表《經濟通》之觀點或立場,亦不構成任何投資建議。鑒於AI生成資訊可能存在錯誤、遺漏或偏差,用戶應自行核實相關內容或諮詢專業意見後再作出投資決定。《經濟通》對因依賴本內容而導致之任何損失或損害概不負責。

核心摘要:
富瑞2025年9月19日指出,中國AI晶片因關鍵設備受限及產能不足,難以競爭輝達H20;中芯國際7奈米良率低,華為5奈米計劃未實現,代工晶片晶體管低於300億性能不足。

事實要點:
▷ 中國AI晶片晶體管低於300億(性能難敵輝達H20)
▷ 華為昇騰910D原計劃5奈米因良率低未實現(現仍為7奈米)
▷ 中芯國際僅能用DUV生產5奈米(多重圖案化致良率低落)
▷ 中國7奈米產能受限(關鍵設備WFE可得性為最大瓶頸)
▷ 中芯產能優先分配華為(其他AI晶片商獲配不足)
  富瑞稱,雖然中國下令終止採購英偉達晶片,而有一系列國產AI晶片公告,令市場興奮不已,但該行提醒投資者指,本土唯一能量產7納米製程的中芯國際(00981)(滬:688981)產能因美國而受限,且中國圖形處理器(GPU)廠商若找海外代工則晶片規格將大幅降級。

  報告亦表示,華為的新晶片存在不確定性,公司去年計劃推出採用5納米工藝的昇騰910D,但由於良率低而未能實現;目前的910D仍為7奈米工藝。

  報告續指出,中國減少對英偉達晶片依賴,最大樽頸位並非集成電路設計能力,而是先進晶圓製造設備(WFE)的可得性,這制約其7納米的產能和良率。此外,中芯國際良率低落,主因其只能使用深紫外線(DUV)工具,而不是極紫外線(EUV),通過多重圖案化來生產5納米工藝,而且其沈積、蝕刻和離子注入等其他關鍵先進設備也受美國限制。而中芯國際產能受限,除華為以外,不太可能為所有中國AI晶片設計公司分配足夠的產能。

  報告指出,一旦中國AI晶片設計符合美國設定的門檻,台積電或三星可在無需美國出口許可的情況下,為其代工,惟但符合門檻條件的、晶體管數量低於300億的中國晶片很難在性能上與英偉達H20競爭。

  該行認為,中美貿易談判或帶來積極影響,稀土仍為中國談判提供籌碼,且預計中國更傾向達成放寬WFE的出口限制或放寬晶片審查的貿易協議,但預計美方阻力仍存。
 
*編者按:本文只供參考之用,並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦,讀者務請運用個人獨立思考能力自行作出投資決定,如因相關建議招致損失,概與《經濟通通訊社》、編者及作者無涉。
《經濟通通訊社19日專訊》

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即時報價更新時間為 19/09/2025 17:59

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