25,063.71
+681.24
(+2.79%)
24,956
-5
(-0.02%)
低水108
8,499.53
+191.71
(+2.31%)
4,830.89
+118.41
(+2.51%)
3,030.73億
3,881.28
+68.00
(+1.783%)
4,474.72
+56.72
(+1.284%)
13,536.56
+191.05
(+1.432%)
2,528.67
+30.05
(+1.20%)
71,212.6200
+306.1700
(0.432%)
安森美半導體
  • 59.890
  • +0.630
  • (+1.063%)
  • 最高
  • 61.640
  • 最低
  • 59.680
  • 成交股數
  • 5.35百萬
  • 成交金額
  • 3.17億
  • 前收市
  • 59.260
  • 開市
  • 60.810
  • 盤前
  • 59.390
  • -0.500
  • (-0.835%)
  • 最高
  • 59.650
  • 最低
  • 59.210
  • 成交股數
  • 3,653.00
  • 成交金額
  • 13.07萬
  • 買入
  • 59.400
  • 賣出
  • 59.650
  • 市值
  • 233.50億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 60672
  • 每宗成交金額
  • 5,225
  • 波幅
  • 6.511%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 206.31/15.15
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • 3.813%
  • 風險率
  • 8.307
  • 振幅率
  • 3.473%
  • 啤打系數
  • 1.870

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 24/03/2026 06:40:21
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

01/11/2025 02:35

美股動向 | 安森美推出垂直氮化鎵半導體,拓AI及電動車高耗能應用

  《經濟通通訊社31日專訊》智能電源和傳感技術企業安森美(US.ON)宣布,推出垂直氮化鎵功率半導體,為人工智能數據中心、電動汽車及可再生能源等高耗能應用領域,在功率密度、效率和耐用性方面樹立全新行業標準。

 

  這項突破性的技術建基於創新的「氮化鎵上氮化鎵」架構,其核心特點是讓電流垂直流過化合物半導體晶片,而非像傳統技術般在表面橫向流動。這種垂直導電設計,使新的vGaN功率半導體能夠在單一晶片中處理高達1200伏特甚至更高的電壓,並以極高頻率進行開關,從而大幅提升效能。​(kk)

海鮮優惠
最新
人氣
etnet TV
財經新聞
評論
專題透視
生活
DIVA
健康好人生
香港好去處