25,277.32
-223.26
(-0.88%)
24,725
-525
(-2.08%)
低水552
8,574.07
-121.81
(-1.40%)
4,872.38
-123.90
(-2.48%)
3,425.18億
3,957.05
-49.50
(-1.235%)
4,567.02
-16.23
(-0.354%)
13,866.20
-35.37
(-0.254%)
2,576.42
+4.38
(+0.17%)
70,678.5700
+167.8400
(0.238%)
安森美半導體
  • 59.260
  • -0.030
  • (-0.051%)
  • 最高
  • 60.340
  • 最低
  • 58.280
  • 成交股數
  • 1.25千萬
  • 成交金額
  • 9.35億
  • 前收市
  • 59.290
  • 開市
  • 59.260
  • 盤後
  • 59.900
  • 0.640
  • (+1.080%)
  • 最高
  • 60.000
  • 最低
  • 58.890
  • 成交股數
  • 2.04百萬
  • 成交金額
  • 1.25億
  • 買入
  • 55.660
  • 賣出
  • 63.450
  • 市值
  • 233.61億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 71117
  • 每宗成交金額
  • 13,147
  • 波幅
  • 9.564%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 204.31/15.00
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • 0.051%
  • 風險率
  • 8.311
  • 振幅率
  • 3.378%
  • 啤打系數
  • 1.870

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 20/03/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

01/11/2025 02:35

美股動向 | 安森美推出垂直氮化鎵半導體,拓AI及電動車高耗能應用

  《經濟通通訊社31日專訊》智能電源和傳感技術企業安森美(US.ON)宣布,推出垂直氮化鎵功率半導體,為人工智能數據中心、電動汽車及可再生能源等高耗能應用領域,在功率密度、效率和耐用性方面樹立全新行業標準。

 

  這項突破性的技術建基於創新的「氮化鎵上氮化鎵」架構,其核心特點是讓電流垂直流過化合物半導體晶片,而非像傳統技術般在表面橫向流動。這種垂直導電設計,使新的vGaN功率半導體能夠在單一晶片中處理高達1200伏特甚至更高的電壓,並以極高頻率進行開關,從而大幅提升效能。​(kk)

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