《中國要聞》工信部等7部門：培育具全球影響力腦機接口領軍企業

　　《經濟通通訊社7日專訊》工信部、國家發改委、教育部、國家衛健委、國務院國資委、中國科學院及國家藥監局印發《關於推動腦機接口產業創新發展的實施意見》，要求到2027年，腦機接口關鍵技術取得突破，初步建立先進的技術體系、產業體系和標準體系。電極、芯片和整機產品性能達到國際先進水平，腦機接口產品在工業製造、醫療健康、生活消費等加快應用。到2030年，腦機接口產業創新能力顯著提升，形成安全可靠的產業體系，培育2至3家有全球影響力的領軍企業和一批專精特新中小企業，構建具有國際競爭力的產業生態，綜合實力邁入世界前列。

*研發用於植入腦機接口高精度手術機器人*

　　《意見》其中提出，打造高性能產品，加快植入式設備研發突破。探索集成高密度神經記錄傳感器、超低功耗植入式芯片的新型產品，創新腦意圖識別功能，提高控制精度和響應速度。完善單向和雙向深部腦刺激器、反應式電刺激器、人工耳蝸等成熟產品，提升訊號採集和功能調控準確度，強化神經刺激功效。推動非植入設備量產迭代。創新額貼式、耳貼式、入耳式、髮夾式等產品形態，推動非植入產品向輕量化、高速率、低功耗發展。

　　研製頭盔、頭顯、眼鏡、耳機等集成式腦機接口產品，通過與已有生活消費產品融合發展，支持非植入產品的迭代應用和規模化推廣。發展輔助設備。研發輔助生理訊號設備，通過腦訊號與肌電、眼電、心電、近紅外等多模態訊號的融合，提升交互控制和感知覺評估的精準度。研發用於植入腦機接口的高精度手術機器人，突破亞微米級精度控制與動態調整技術，提升區域精準實時成像與三維重建能力。

*研發面向硬腦膜上下、大腦皮層內等區域植入式電極*

　　研發面向硬腦膜上、硬腦膜下、大腦皮層內等不同區域的植入式電極，探索腦血管介入式電極，強化材料的穩定性和可靠性，研製專用製備和封裝工藝，提升電極通道數、生物相容性、空間分辨率和信噪比。加快高可用、自適應調節的非植入式電極研發，發展低阻抗、薄介質的新型電極材料，提升電極便捷性、舒適性和易用性。創新基於光、電、磁、超聲、化學的新型腦訊號傳感器，突破單模態訊號局限，提高腦訊號感知能力。

　　突破關鍵腦機芯片。發展高通道、高速率腦訊號採集芯片，強化模數轉換、通道管理和噪聲抑制，增強腦訊號採集放大能力。研發高性能、超低功耗腦訊號處理芯片，強化並行處理能力，推動感知、計算和調節等功能的一體化集成。研發超低功耗、高速率、高可靠的通信芯片，提升腦訊號傳輸和抗干擾能力。(sl)