Toshiba推出TOLL封裝650V第三代SiC MOSFET

- 三款新元件提升工業裝置效率與功率密度 -

日本川崎--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出三款650V碳化矽(SiC)金氧半場效電晶體(MOSFET)，搭載最新^[1] 第三代SiC MOSFET晶片，並採用表面黏著TOLL封裝。這些新元件適用於工業裝置，如開關式電源和用於太陽能光電發電機的功率調節器。「TW027U65C」、「TW048U65C」和「TW083U65C」這三款MOSFET即日起開始批量出貨。

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新產品是Toshiba第三代SiC MOSFET中採用通用表面黏著TOLL封裝的型號，相較TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝，元件體積減少80%以上，裝置功率密度也得以改善。

TOLL封裝還具有比通孔封裝更低的寄生阻抗^[2]，有助於降低開關損耗。其為四端子^[3]封裝，可將開爾文連接用作閘極驅動的訊號源端子。這可以減少封裝內的源極引線電感的影響，實現高速開關效能；以TW048U65C為例，其開通損耗和關斷損耗分別比現有Toshiba產品^[5]降低約55%和25%^[4]，有助於降低裝置功率損耗。

Toshiba將繼續擴充產品陣容，為提升裝置效率和增加功率容量貢獻力量。

註：
[1] 截至2025年8月。
[2] 電阻、電感等。
[3] 具有靠近FET晶片連接的訊號源端子的產品。
[4] 截至2025年8月，Toshiba測量值。詳情請參見Toshiba網站發表版本中的圖1。
[5] 採用無開爾文連接TO-247封裝的具有同等電壓和導通電阻的650V第三代SiC MOSFET。

應用領域

• 伺服器、資料中心、通訊裝置等的開關式電源
• 電動汽車充電站
• 太陽能光電逆變器
• 不斷電系統

產品特點

• 表面黏著TOLL封裝：支援裝置小型化與自動化組裝。開關損耗低。
• Toshiba第三代SiC MOSFET：
  - 最佳化漂移電阻與溝道電阻比，實現漏源導通電阻良好的溫度相依性。
  - 低漏源導通電阻×柵漏電荷積
  - 低二極體正向電壓：V_DSF=-1.35V（典型值）(V_GS=-5V)

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TW048U65C
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