24/02/2026
《經濟通通訊社24日專訊》光刻機巨企(US.ASML)宣布取得極紫外光刻(EUV)技術的重大突破，研究團隊成功將關鍵的EUV光源功率提升至1000瓦。這項技術進展預計在2030年前將晶片製造產能提升高達50%。
此次突破的核心在於大幅提升了EUV光源的穩定輸出功率。ASML 目前的主流設備光源功率約為600瓦，而新技術能將其推升至1000瓦大關。EUV光刻機是目前生產最先進運算晶片的唯一工具，其原理極為複雜，需利用雷射脈衝每秒撞擊錫液滴5萬次以產生電漿，進而發射出極紫外光。
更高的光源功率意味著晶圓的曝光時間可大幅縮短，直接提升每小時的晶片產出量，從而降低單顆晶片的製造成本。(kk)
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