《券商精點》中信里昂維持英諾賽科「優於大市」評級，目標價113.6元

　　中信里昂發表研究報告指出，英諾賽科(02577)在800VDC伺服器業務上取得穩步進展。其功率半導體同業因數據中心需求強勁及供應短缺而調升矽基MOSFET及IGBT晶片價格。作為全球第一大氮化鎵功率半導體廠商，該行預期英諾賽思將持續受惠於數據中心應用中氮化鎵滲透率增長。中信里昂維持英諾賽科「優於大市」評級，目標價113.6港元。

　　中信里昂指出，英諾賽科在伺服器業務方面，公司已向800V AI伺服器發送樣品並進行氮化鎵產品測試。英諾賽思正與領先AI晶片平台合作，開發AI數據中心的800VDC（直流）電源架構。整體而言，該行認為800VDC伺服器業務進展順利。

　　受惠於尤其是數據中心的強勁需求，以及供應短缺，領先功率半導體公司自2026年2月起已向客戶發出漲價通知。海外廠商如英飛凌及德州儀器，以及國內廠商均宣布調升價格。其中，MACMIC Technology將部分矽基IGBT（絕緣柵雙極型電晶體）產品價格上調約10%，捷捷微電子則將矽基MOSFET（金屬氧化物半導體場效電晶體）價格上調10-20%。

　　另外，美國國際貿易委員會(ITC)就英飛凌對英諾賽思的專利侵權訴訟作出最終裁定。英諾賽思在六項指控中勝出四項，ITC認定並無侵權。ITC認定剩餘兩項指控構成侵權並實施進口禁令，但這些指控涉及英諾賽思已停產的歷史產品。因此，此裁定對英諾賽思在美國的業務並無重大影響，公司將繼續在美國及全球銷售氮化鎵產品。這進一步強化了公司獨立技術創新的地位。

　　中信里昂指出，英諾賽思作為全球第一大氮化鎵半導體領導者，該行預期英諾賽思將持續受惠於數據中心中氮化鎵滲透率增長。

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《經濟通通訊社15日專訊》